實(shí)際上，氮化鎵具有更好的導(dǎo)電性GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。
坪山，無(wú)疑是深圳最后一塊“肥肉”！從目前來(lái)看，坪山發(fā)展還不成熟，剛剛從坪山新區(qū)升級(jí)為坪山區(qū)，人口不足50萬(wàn)，GDP總量為690億，與老大哥南山、二哥福田、三哥龍崗相比，相差甚遠(yuǎn)！但是為什么說(shuō)坪山是深圳最后一塊肥肉呢？1：深圳東進(jìn)深圳東進(jìn)不是一句玩笑話，很多人看來(lái)，深圳東部是一個(gè)“坑”，因?yàn)槠x主城區(qū)，但是龍崗即將成為深圳的城市副中心，對(duì)標(biāo)北京的通州，深港國(guó)際中心，這個(gè)項(xiàng)目就坐落在深圳東部中心的大運(yùn)新城，規(guī)劃高度將在700米，投資金額超過500億，目前已經(jīng)啟動(dòng)。
而坪山區(qū)，未來(lái)也規(guī)劃了多座高樓大廈，以及在建的地鐵14號(hào)線、16號(hào)線，深惠地鐵、深惠城際鐵路，以及規(guī)劃中的深汕高鐵，都將經(jīng)過坪山，坪山的交通將在未來(lái)五年，進(jìn)入一個(gè)高速發(fā)展期。地鐵、城鐵、高鐵的通達(dá)，使得未來(lái)的坪山與深圳中心城區(qū)的時(shí)空距離更加近，2：坪山是深圳連接深汕特別合作區(qū)的中心點(diǎn)如果是五年前，坪山確實(shí)不被人看好，但是如今深汕特別合作區(qū)已經(jīng)納入深圳管轄，接下來(lái)深圳將有高鐵連接坪山-深汕特別合作區(qū)。
除了14號(hào)線和16號(hào)線連接坪山，未來(lái)19號(hào)線，21號(hào)線，也將連接坪山和坪山高新區(qū)，當(dāng)然最值得期待的還是350公里時(shí)速的深圳-坪山-深汕特別合作區(qū)的高鐵。一旦建成，那么坪山可以實(shí)現(xiàn)20分鐘達(dá)到深圳中心區(qū)，15分鐘達(dá)到深汕特別合作區(qū)，看來(lái)，這次深圳的東進(jìn)，絕不是開玩笑了。3：坪山中心區(qū)擴(kuò)容坪山中心區(qū)擴(kuò)容的方案已經(jīng)獲批，從原來(lái)的4.68平方公里擴(kuò)容到24.08公里，
2、在第三代氮化鎵芯片時(shí)代，中國(guó)可以后來(lái)者居上嗎？
好多小伙伴都沒有聽說(shuō)過氮化鎵，更不用說(shuō)氮化鎵芯片了。而且，氮化鎵是第三代芯片，是不是覺得不可思議呢？那么，芯片經(jīng)歷的三代芯片是什么呢？第一代，硅芯片第二代砷化鎵芯片第三代氮化鎵芯片這三代芯片，本文為大家科普一下，讓大家有個(gè)大致的了解，一．硅芯片硅芯片是大家極為熟悉的芯片了。我們以前使用的電腦，手機(jī)的芯片絕大多數(shù)都是硅芯片，
不過，硅芯片雖然使用得較為廣泛。但是，它的極限大約是5納米級(jí)別，如果想容納更多的元器件在有限的空間內(nèi)，硅芯片似乎走到了極致，我們不得不說(shuō)，硅芯片對(duì)人類的巨大貢獻(xiàn)，是它開辟了微電腦時(shí)代，智能手機(jī)時(shí)代。那么是不是硅芯片就做不了7納米以下的芯片了呢？現(xiàn)在給出定論還為時(shí)過早，二．砷化鎵芯片砷化鎵屬于人造半導(dǎo)體材料，并且，砷化鎵是原子晶體。
這樣，它具有良好的半導(dǎo)體性能外，砷化鎵可作半導(dǎo)體材料，性能比硅更優(yōu)良，據(jù)報(bào)道砷化鎵像硅一樣容易使用，芯片運(yùn)算的速度至少是硅片的2至3倍。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料，三.氮化鎵芯片氮化鎵芯片，小米首先應(yīng)用在快充上了。實(shí)際上，氮化鎵具有更好的導(dǎo)電性GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，
它具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。氮化鎵現(xiàn)在備受關(guān)注，據(jù)報(bào)道，小米發(fā)布GaN快充氮化鎵GaN站上風(fēng)口，化鎵用于器件設(shè)計(jì)與制造，主要應(yīng)用于芯片，包括LED芯片、射頻芯片、激光芯片與功率器件等。
