1，帶寬速度與DDR4相比，改進(jìn)后的DDR5功能將實(shí)際帶寬提高36%，甚至在3200MT/s(此說(shuō)法必須測(cè)試)和4800MT/s時(shí)，與DDR4-3200相比，2.單芯片密度DDR5最重要的特征之一將是超過(guò)16Gb的單芯片密度,專(zhuān)業(yè)來(lái)說(shuō)，DDR又稱(chēng)雙速率SDRAM，是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，DDR4表示第四代內(nèi)存,經(jīng)歷了DDR1，DDR2，DDR3內(nèi)存，新一代DDR4內(nèi)存，無(wú)論是電腦還是智能手機(jī)，都逐漸普及。

1，帶寬速度與DDR4相比，改進(jìn)后的DDR5功能將實(shí)際帶寬提高36%，甚至在3200MT/s(此說(shuō)法必須測(cè)試)和4800MT/s時(shí)，與DDR4-3200相比，2.單芯片密度DDR5最重要的特征之一將是超過(guò)16Gb的單芯片密度。擴(kuò)展:DDR5的主要特點(diǎn):DDR5SDRAM的主要特點(diǎn)是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5有望帶來(lái)4266到6400MT/s的I/O速度，電源電壓降至1.1V，允許波動(dòng)范圍為3%(即0.033V)。每個(gè)模塊使用兩個(gè)獨(dú)立的32/40位通道(不帶和/或帶ECC)。此外，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線(xiàn)效率(因?yàn)橥ǖ缹碛凶约旱?位地址(add)/命令(Cmd)總線(xiàn))、更好的刷新方案，以及用于額外性能的增加的存儲(chǔ)體組。

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，DDR4表示第四代內(nèi)存。專(zhuān)業(yè)來(lái)說(shuō)，DDR又稱(chēng)雙速率SDRAM，是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。經(jīng)歷了DDR1，DDR2，DDR3 內(nèi)存，新一代DDR4 內(nèi)存，無(wú)論是電腦還是智能手機(jī)，都逐漸普及。現(xiàn)在，DDR4-1

CL15-17左右。普通ddr42400 內(nèi)存的頻率是2400MHz，時(shí)序大概是CL15-17。幾乎所有DDR4generation內(nèi)存的默認(rèn)頻率都只有2133MHz，所以即使你買(mǎi)的是高頻內(nèi)存，也需要在主板的BIOS設(shè)置中開(kāi)啟XMP(自動(dòng)超頻)或者手動(dòng)設(shè)置超頻才能達(dá)到商家給出的頻率。而且需要手動(dòng)設(shè)置超頻。即使你的內(nèi)存 bar是4000MHz的神棒，也會(huì)自動(dòng)降到2666MHz使用。這需要用戶(hù)看到主板上的說(shuō)明。

一樣。不一樣內(nèi)存還是會(huì)有一些小的不同。例如內(nèi)存大小是由粒子的數(shù)量和容量決定的。但是請(qǐng)注意，內(nèi)存不是水壺，也不是收納柜。無(wú)論是同品牌還是同尺寸，只要內(nèi)存是同一代(ddr3/ddr4)，體積就不會(huì)是影響其使用的因素。RandomAccessMemory(英文:Random Access Memory，縮寫(xiě):RAM)又稱(chēng)主存，是一種直接與CPU交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。可以隨時(shí)讀寫(xiě)(刷新時(shí)除外)，速度非常快。它通常用作操作系統(tǒng)或其他運(yùn)行程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。工作時(shí)，RAM可以隨時(shí)從任何指定地址寫(xiě)入(存儲(chǔ))或讀取(取出)信息。ROM和ROM最大的區(qū)別是數(shù)據(jù)的易失性，即一旦斷電，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。RAM在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用于臨時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。

{4。