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1，求單片機參考文獻

肖洪兵. 跟我學用單片機. 北京：北京航空航天大學出版社,2002.8 何立民. 單片機高級教程．第1版．北京：北京航空航天大學出版社，2001 趙曉安. MCS-51單片機原理及應用. 天津：天津大學出版社，2001.3 李廣第．單片機基礎．第1版．北京：北京航空航天大學出版社，1999 徐惠民、安德寧．單片微型計算機原理接口與應用．第1版．北京：北京郵電大學出版社，1996 何立民．從Cygnal 80C51F看8位單片機發(fā)展之路．單片機與嵌入式系統(tǒng)應用，2002年，第5期：P5~8 夏繼強. 單片機實驗與實踐教程. 北京：北京航空航天大學出版社, 2001 陳志強胡輝. 單片機應用系統(tǒng)設計實踐指南. 自編教材肖洪兵. 單片機應用技術. 自編教材肖洪兵高茂科. CAI課件自主開發(fā)

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2，急急緊急求助關于單片機的外文參考文獻

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急急緊急求助關于單片機的外文參考文獻

3，pic 單片機參考文獻

PIC8位單片機的基本組成PIC系列8位單片機為適應各種不同的用途，有多種型號可供選用。但是，盡管PIC單片機有不同的檔次和型號，但其最基本的組成則大同小異。因此，在這里先從型號PIC16F84的單片機入手，討論其基本組成。PIC16F84是雙列直插式(DIP)塑料封裝，最大時鐘頻率可達4MHz。現(xiàn)為Microchip公司的獨家產品，關于其具體技術指標，可查閱該公司的產品手冊，或在網(wǎng)址www.microchip.com上查找。 PIC16F84單片機的引腳排列可參閱本期本版的16F8X系列簡介一文。本文的附圖是該器件的主要組成部分。PIC16F84雖然體積不大，但仍然是一個完整的計算機，它有一個中央處理器(CPU)、程序存儲器(ROM)、數(shù)據(jù)寄存器(RAM)和兩個輸入/輸出口(I/O口)。和其它品種的單片機一樣，CPU是此單片機的“首腦”，它從程序存儲器中讀取和執(zhí)行指令。在取指和執(zhí)行時，還可同時對數(shù)據(jù)寄存器進行取數(shù)(前已介紹PIC16F84采用哈佛結構)。由附圖可明顯看出，程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器各有一條總線與CPU相連。有些CPU將CPU內部的寄存器與其外部的RAM是分開管理的，但PIC單片機不是這樣，它的通用數(shù)據(jù)RAM也歸為寄存器，稱為File寄存器。在PC16F84中，有68個字節(jié)的通用RAM，其地址為0CH～4FH。除了通用數(shù)據(jù)寄存器外，還有一些專用寄存器，其中最常用的工作寄存器為“W寄存器”。CPU將工作數(shù)據(jù)存放在W寄存器中。寄存器W的作用與其它單片機中的“累加器A”相似。此外，還有幾個專用寄存器，它們分別以某種方式控制PIC的運作。 PIC16F84的程序存儲器是由Flash(閃速)EPROM構成，它可用電來記錄和擦除，而在斷電時，仍可保留其內容。PIC單片機有些型號的程序存儲器用的是EPROM，需要用紫外線來擦除；還有一些型號是一次性可編程(OTP)的產品(一經編程便不能再擦除)。 PIC16F84有兩個輸入/輸出口，即A口和B口。每個口的每個引腳可單獨設定為輸入或輸出。各個口的位是從0開始編號的。當A口為輸出方式時，其第4位(即RA4)為開路集電極(或開路漏極)輸出，而B口及A口其它各位為常規(guī)的全CMOS驅動電路。這些功能必須注意，否則會在編程時出錯。CPU對每個端口都按一個字節(jié)8位來處理，但A口只有5位引腳。 PIC輸入與COMS兼容，所以PIC輸出可驅動TTL或CMOS邏輯芯片。每個輸出引腳可以流出或吸入20mA電流，即使一次只用了一個引腳亦是如此。摘要：在介紹空調室內機控制器功能的基礎上，從軟件的規(guī)劃著手，詳細介紹了室內機軟件的總體設計過程、詳細設計過程以及編碼的實現(xiàn)，并在此基礎上重點給出了空調室內機運行模式的特點和結合這些特點如何用MPLAB集成開發(fā)環(huán)境去實現(xiàn)各運行模式。關鍵詞：空調；控制器；單片機；軟件設計單片機軟件實現(xiàn)是單片機系統(tǒng)應用的重點，他是在硬件設計基礎上實現(xiàn)程序設計的重要環(huán)節(jié)。單片機程序設計一般包括以下幾個步驟：軟件規(guī)劃、流程圖編制、代碼編寫。由于單片機系統(tǒng)具有軟硬件緊密結合的特點，因此在基于某種單片機系統(tǒng)的軟件開發(fā)時，應充分了解該系統(tǒng)實現(xiàn)的硬件環(huán)境，同時也應該在系統(tǒng)設計與硬件設計階段，對軟件設計有一個大體的規(guī)劃。因此，本文在介紹室內機控制器功能的基礎上，重點討論如何用軟件實現(xiàn)該室內機的功能。一：PIC16C71的問題和對策問題1：在芯片進入低功耗睡眠模式 (SLEEP MODE)后，其振蕩腳將處于浮態(tài)，這將使芯片的睡眠功耗上升，比原手冊中的指標高了10μA以上。對策：在振蕩腳OSC1和地 (GND)之間加一10MΩ電阻可防止OSC1進入浮態(tài)，且不會影響正常振蕩。問題2：RA口方向寄存器TRISA目前只是一個4位寄存器，對應于RA0~RA3，并非手冊中所言是8位寄存器，對應于RA0~RA4，即RA4并沒有相應的輸入/輸出方向控制位，它是一個具有開極輸出，施密特輸入I/O腳。對策：避免使用對RA口進行讀-修改-寫指令（如BCF RA， BSF RA），以免非意愿地改變RA4的輸入/輸出狀態(tài)。對于RA口的操作應采用寄存器的操作方式（MOVWF RA）。問題3：當CPU 正在執(zhí)行一條對INTCON寄存器進行讀-修改-寫指令時，如果發(fā)生中斷請求，則讀中斷例程會被執(zhí)行二次。這是因為當中斷請求發(fā)生后INTCON寄存器中的GIE位會被硬件自動清零（屏蔽所有中斷），并且程序轉入中斷例程入口（0004H）。當GIE位被清零后，如果這時正好CPU在執(zhí)行一條對 INTCON的讀-修改-寫指令（如BSF INTCON等），則 GIE位還會被寫回操作重新置1，這樣會造成CPU二次進入中斷例程。對策：如果在程序中需對INTCON的某一中斷允許位進行修改，則應事先置GIE=0 ，修改完成后再恢復GIE=1。…………..BCF INTCON, GIEBSF INTCON, ×××BSF INTCON, GIE………….. 圖1 問題4：當芯片電壓VDD加電上升時間大于100μs時，電源上電復位電路POR和電源上電延時器PWRT可能不能起正常的作用，而使芯片的復位出現(xiàn)不正常（即PC≠復位地址）。一般在這種情況下建議不要采用PWRT。對策：如果VDD上升時間很長，此芯片一般需較長的電源上電延時，可靠的電源上電延時方法如圖1所示，在MCLR端外接復位電路。問題5：如果在A/D轉換中用RA3作為參考電壓輸入，則最大滿量程誤差(NFS)要大于手冊中的指標。實際情況如表1所示。表1 A/D滿量程誤差表 VREF源（5.12V）滿量程誤差（NFS） VDD ＜±1 LSb RA3 ＜±2.5 LSb 二：PIC16C84的問題和對策問題1：PIC16C84的內部的E2PROM數(shù)據(jù)存儲器的E/W周期偶爾會超出最大值（10ms）。對策：在程序中應該用EECON1寄存器中的WR位來判斷寫周期的完成，或是啟用“寫周期完成中斷”功能，這兩種方法可保證寫入完成。問題2：VDD和振蕩頻率的關系如表2所示。VDD 振蕩方式最高頻率 2V－3V RC， LP 2MHZ，200MHZ 3V－6V RC，XT，LP 4MHZ，200MHZ 4.5V-5.5V HS 10MHZ

什么單片機？單片機有很多種

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