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1，內存參數是什么

內存參數包括：內存技術指標、性能指標、時鐘周期、性能參數

內存參數是什么

2，內存條上的參數是什么 意思

DDR從它的英文名稱Double Data Rate上面就能看出他的含義，簡單的說就是雙倍傳輸速率的SDRAM。普通SDRAM內存的工作方式是在一個時鐘周期的上升沿觸發進行工作。也就是說在一個時鐘周期內，內存將工作一次。而DDR的技術使得內存可以在每一個時鐘周期的上升沿和下降沿分別觸發一次，這樣就使得在一個時鐘周期內內存可以工作兩次，這樣就使得DDR內存在相同的時間內能夠完成普通內存一倍的工作量。這一點與AMD K7系列CPU所采用的EV6總線的工作頻率類似，AMD K7系列CPU的外頻為100MHz，但由于其采用的時鐘上、下沿分別觸發的方式，所以K7系列CPU能夠達到普通的200MHz FSB的效果。不僅如此我們從使用DDR SDRAM顯存的顯卡上面也能看到DDR相對于普通SDRAM的強勁實力。DDR SDRAM分為PC1600和PC2100兩種，其中PC1600 DDR SDRAM運行在100MHz(相當于200MHz)下，它的理論傳輸速率最高可以達到1.6GB/s，；PC2100 DDR SDRAM的工作頻率為133MHz DDR(相當于266MHz)，最大帶寬可以達到2.1GB/s。DDR的物理指標與SDRAM是不同的，在針腳數目上面，SDRAM的為168線，DDR的為184線。DDR SDRAM只需2.5V的電壓，要比SDRAM的3.3V低，這也更加節能。 DDR SDRAM的工作頻率更高，當然對電氣性能的要求也越高。運行在高頻率的內存需要好的抗干擾性。綜觀以前的RDRAM，由于運行頻率比較高，在內存顆粒外面都由一層金屬屏蔽罩用來隔絕電磁干擾，而且PCB板中也必須要有2個屏蔽層。這樣做可以達到一定的效果，但是畢竟是治標不治本，沒有從根本上解決問題。影響內存抗干擾性的最大環節是信號從內存顆粒內部傳輸到PCB板上的電路中這一過程，傳統內存的芯片采用TSOP封裝形式，這種封裝形式的特點是在封裝芯片的周圍做出引腳和PCB板相連接，這就好比是引一跟導線與電路連接。還有一種專利的TinyBGA技術，現階段只有KingMax一家在使用，內存顆粒的信號是由芯片中心方向引出的，這就能夠有效地縮短信號的傳導距離，在內存顆粒和PCB的連接上采用了多個錫球，這就好比是板卡上的貼片元件。板卡上的導線連接元件和貼片元件的高頻穩定性哪個更出色一些，就不必多說了。 333，400代表的是頻率，DDR333也就是PC2700，意思是2.7G/S的傳輸速率；DDR400也就是PC3200，意思是3.2G/S的傳輸速率。 DDR333和DDR400的內存可以同時使用，但是兩條內存的牌子一定要相同，否則會有兼容性的問題

內存條上的參數是什么意思

3，關于內存的參數

嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對于內存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。 SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鐘周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更高的數據傳輸率。與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRA的兩倍。從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。支持內存類型是指主板所支持的具體內存類型。不同的主板所支持的內存類型是不相同的。內存類型主要有FPM，EDO，SDRAM，RDRAM已經DDR DRAM等。 DDR2內存ECC并不是內存類型，ECC（Error Correction Coding或Error Checking and Correcting）是一種具有自動糾錯功能的內存，英特爾的82430HX芯片組就開始支持它，使用該芯片組的主板都可以安裝使用ECC內存，但由于ECC內存成本比較高，所以主要應用在要求系統運算可靠性比較高的商業電腦中，例如服務器/工作站等等。由于實際上存儲器出錯的情況不會經常發生，而且普通的主板也并不支持ECC內存，所以一般的家用與辦公電腦也不必采用ECC內存。一般情況下，一塊主板只支持一種內存類型，但也有例外。有些主板具有兩種內存插槽，可以使用兩種內存，例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM，現在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。DDR2與DDR內存工作原理上基本相同，比較來說，DDR2具有低功耗、發熱量小等優點之外，DDR2 SDRAM的每個時鐘周期內能通過總線傳輸四次數據是DDR的兩倍，使帶寬加倍。隨著Intel915X和925X主板的日益普及，DDR2離我們也越來越近了。 DDR2 SDRAM一出現就迅速得到服務器、工作站和個人計算機OEM廠商的廣泛支持，DDR2存儲器具有高數據速率、低功耗以及高密度特點，這些特點也適合當前數字消費電子產品的應用需求，如機頂盒和數碼相機等。本文對比分析了DDR2相對傳統存儲器的性能特點，并介紹了DDR2在數字消費電子產品上的應用機會。 DRAM市場的特點是技術不斷提高而需求也持續增長，DDR2 SDRAM一出現就迅速得到服務器、工作站和個人計算機OEM廠商的廣泛支持。對這些應用來說，DDR2 SDRAM是一個理所當然的選擇，因為它的速度和帶寬比DDR SDRAM高很多，DDR2的1.8V工作電壓使得它可以比其上一代產品功耗整整低50%。但是，DDR2的優勢決不僅局限于這些應用，DDR2的高密度、高功效和改善的熱特性為臺式電腦、筆記本電腦和小外形消費電子產品帶來了巨大優勢。這些優勢的利用將依賴于封裝和模塊技術的不斷發展，特別是在消費電子產品領域。這個新興的市場代表著DRAM工業一個新的前沿應用，它將為那些愿意接受挑戰以滿足新要求的商家帶來大量機會。加速向DDR2轉換服務器、工作站和個人計算機等傳統DRAM市場正在快速向DDR2轉換。英特爾公司已經宣布其未來的所有芯片組將支持DDR2，其它的主要芯片組供應商看起來也將步英特爾的后塵。今春英特爾開發商論壇和存儲器生產商論壇所開展的活動使那些希望向DDR2加速轉變的人受到鼓舞，DRAM市場上的大部分主要供應商目前提供經過英特爾驗證的DDR2產品。半導體生產設備從8英寸到12英寸晶圓工藝的轉變有助于提高產品良率，進而提高DRAM的產量。對于1Gb DRAM器件來說，在單一芯片上既支持DDR1又支持DDR2架構的電路技術很關鍵，它使得向DDR2的轉換更加容易。 DDR2 SDRAM的優勢 DDR2 SDRAM目前的數據傳輸速率最高為533Mbps，這是DDR266的兩倍。除了在原始帶寬方面的一些提高外，它還提高了系統的性能和功效，并方便系統設計。這些改進可以分成以下四大類： 4位預取架構采用DDR2的4位預取(Prefetch)架構，DDR2 SDRAM作為外部總線每個時鐘從存儲器單元陣列讀/寫的數據量是原來的四倍，而且其工作頻率比內部總線頻率快四倍。DDR2 SDRAM、DDR SDRAM 和SDR SDRAM與工作頻率為100MH DDR400,333,266它們除了頻率上的區別外，還有延遲時間上的區別，DDR400的頻率是最快的，達到了200MHZ（為什么是200MHZ，因為DDR內存是雙倍速率隨機動態同步存儲器的意思，所以DDR400是200乖以2得來的，那么換算過了，DDR400的實際頻率就是200MHZ，333的實際頻率是166的，266的是133的，DDR2533的是266，DDR2667是333的，DDR2800的是400MHZ的。）但是DDR400也是DDR內存中延遲最后的，一般的，速度快的內存，相對速度慢的內存延遲要高些。從外觀上看它們大致相同，但是也有一定的區別，這主要是從與它們容量和速度相關的內存顆粒上看出的，256MB的內存不管是DDR幾的，都是單面的，而512與512兆以上的，多半是兩面都有顆粒的。還有，DDR400的內存所使用的顆粒的速度是5NS的，而333的是6NS的，266的是7NS（一般是這樣的）。其次還有電壓和針腳定義的不同，還有封裝形式，大多是采用TSOP（薄型小尺寸封裝）還有MBGA（微型柵格球形陣列封裝）的。

關于內存的參數