接下來(lái)我們將逐一講解內(nèi)存About時(shí)序的設(shè)置參數(shù)，讓大家在設(shè)置內(nèi)存的參數(shù)時(shí)有一個(gè)清晰的思路，提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能,好的內(nèi)存經(jīng)常以較低的時(shí)序運(yùn)行到較高的頻率,如果頻率開(kāi)不到高點(diǎn)或者不穩(wěn)定，那就增加內(nèi)存電壓/旋鈕時(shí)序調(diào)高/內(nèi)存來(lái)降低頻率,調(diào)整內(nèi)存的設(shè)置,內(nèi)存時(shí)序設(shè)置。

比如我的DDR313334GB標(biāo)準(zhǔn)卡時(shí)序 9-9-24-33可以設(shè)置頻率為1600，時(shí)序不變，從而提高性能。如果頻率開(kāi)不到高點(diǎn)或者不穩(wěn)定，那就增加內(nèi)存電壓/旋鈕時(shí)序調(diào)高/內(nèi)存來(lái)降低頻率。好的內(nèi)存經(jīng)常以較低的時(shí)序運(yùn)行到較高的頻率。

FSB: DRAM是CPU外部頻率與內(nèi)存單向工作頻率內(nèi)存 -0的比值/是一個(gè)參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存 SPD中。2-2-2-84數(shù)字的含義是:CASLatency(簡(jiǎn)稱CL值)內(nèi)存CAS延遲時(shí)間，是內(nèi)存的重要參數(shù)之一。內(nèi)存的部分品牌會(huì)在上打印CL值。Ras到cas延遲(trcd)，內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。行-行-預(yù)充電延遲(tRP)，內(nèi)存行地址選通cas延遲。行有效延遲(tras)，內(nèi)存行地址選通延遲。這是玩家最關(guān)心的四個(gè)調(diào)整時(shí)序，大部分主板的BIOS中都可以設(shè)置。內(nèi)存模塊制造商也計(jì)劃推出低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲超頻內(nèi)存模塊。在相同的頻率設(shè)置下，最低的“2-2-2-5”序列時(shí)序內(nèi)存module確實(shí)可以帶來(lái)比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存 performance，幅度為3到5個(gè)百分點(diǎn)。

調(diào)整3、銘_h510如何調(diào) 內(nèi)存 時(shí)序

內(nèi)存的設(shè)置。首先，簡(jiǎn)單的從主板BIOS調(diào)整，找到內(nèi)存，調(diào)低參數(shù)。數(shù)字越小，延遲越快，速度越快，內(nèi)存越不穩(wěn)定。最后連開(kāi)機(jī)都不會(huì)。這時(shí)候你別無(wú)選擇，只能清空BIOS，重新開(kāi)始。正確設(shè)置不同速度的FSB和DDR 內(nèi)存之間的關(guān)系。強(qiáng)烈建議采用與內(nèi)存同步的1: 1 FSB的設(shè)置，充分發(fā)揮內(nèi)存帶寬的優(yōu)勢(shì)。內(nèi)存 時(shí)序設(shè)置。內(nèi)存的參數(shù)設(shè)置是否正確，會(huì)極大地影響系統(tǒng)的整體性能。接下來(lái)我們將逐一講解內(nèi)存About時(shí)序的設(shè)置參數(shù)，讓大家在設(shè)置內(nèi)存的參數(shù)時(shí)有一個(gè)清晰的思路，提高計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的性能。

1，first內(nèi)存時(shí)序是描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SDRAM)性能的四個(gè)參數(shù)，即CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時(shí)鐘周期。2.次數(shù)指定了影響隨機(jī)存取存儲(chǔ)器速度的等待時(shí)間(延遲時(shí)間)。3.最后，數(shù)字越小通常意味著性能越快。決定系統(tǒng)性能的最后一個(gè)因素是實(shí)際延遲時(shí)間，通常以納秒為單位。

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