用電場(chǎng)偏移來(lái)解釋導(dǎo)電溝道的厚度變化有點(diǎn)牽強(qiáng),如果用MOS晶體管的對(duì)稱性來(lái)解釋，就很好理解了，因?yàn)楫?dāng)Vgs=Vth時(shí)，溝道準(zhǔn)備導(dǎo)通，所以柵極右邊的漏極和左邊的源極是對(duì)稱的,如果垂直向下用Vgs電場(chǎng)，水平向左用Vds電場(chǎng)，后一種電場(chǎng)如何抵消垂直電場(chǎng),因此，電壓取決于Vgd對(duì)通道的影響,中頻Vgd。
1、N溝道增強(qiáng)型MOS管1.為什么Uds增大到時(shí)Ugd=Ugs(th如果垂直向下用Vgs電場(chǎng)，水平向左用Vds電場(chǎng)，后一種電場(chǎng)如何抵消垂直電場(chǎng)？用電場(chǎng)偏移來(lái)解釋導(dǎo)電溝道的厚度變化有點(diǎn)牽強(qiáng)。如果用MOS晶體管的對(duì)稱性來(lái)解釋，就很好理解了，因?yàn)楫?dāng)Vgs=Vth時(shí)，溝道準(zhǔn)備導(dǎo)通，所以柵極右邊的漏極和左邊的源極是對(duì)稱的，因此，電壓取決于Vgd對(duì)通道的影響。中頻Vg。
