用電場偏移來解釋導電溝道的厚度變化有點牽強,如果用MOS晶體管的對稱性來解釋，就很好理解了，因為當Vgs=Vth時，溝道準備導通，所以柵極右邊的漏極和左邊的源極是對稱的,如果垂直向下用Vgs電場，水平向左用Vds電場，后一種電場如何抵消垂直電場,因此，電壓取決于Vgd對通道的影響,中頻Vgd。1、N溝道增強型MOS管1.為什么Uds增大到時Ugd=Ugs(th如果垂直向下用Vgs電場，水平向左用Vds電場，后一種電場如何抵消垂直電場？用電場偏移來解釋導電溝道的厚度變化有點牽強。如果用MOS晶體管的對稱性來...