這時(shí)候蘋(píng)果有三個(gè)選擇:DDR3，LPDDR3，DDR4,根據(jù)百度我們知道如下:DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，最常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存,DDR3L全稱(chēng)“DDR3LowVoltage”，將工作電壓從標(biāo)準(zhǔn)版DDR3的1.5V進(jìn)一步降低到1.35V，并保持完全的功能兼容性。

根據(jù)百度我們知道如下:DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，最常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能短時(shí)間保存數(shù)據(jù)。為了保存數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以每隔一段時(shí)間就必須刷新一次。如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息將會(huì)丟失。(關(guān)了會(huì)丟失數(shù)據(jù))LowPowerDoubleDataRateSDRAM，DDRSDRAM的一種，也叫mDDR，是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)制定的低功耗存儲(chǔ)器通信標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗、小尺寸著稱(chēng)，專(zhuān)門(mén)用于移動(dòng)電子產(chǎn)品。固態(tài)硬盤(pán):緩存類(lèi)型DRAMLPDDR3使用上述類(lèi)型的固態(tài)硬盤(pán)。

首先Skylake開(kāi)始提供對(duì)DDR4的支持，但是直到移動(dòng)平臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn)壓力處理器KabyLake仍然沒(méi)有提供對(duì)LPDDR4的支持。更別說(shuō)蘋(píng)果設(shè)計(jì)的時(shí)候KabyLake還沒(méi)有。這時(shí)候蘋(píng)果有三個(gè)選擇:DDR3，LPDDR3，DDR4。DDR3太老了，需要1.5V電源。即使DDR3L也需要1.28V電源，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)LPDDR3和DDR4的1.2V。果斷放棄。問(wèn)題是，如果用DDR4，MBP2016能承載的最大內(nèi)存容量是8GB(2GB*4)。如果把DRAM放在后面，就是16GB。這個(gè)不好，16 GB不好，32GB的內(nèi)存甚至沒(méi)有必要。這就只剩下一個(gè)選項(xiàng)——LPDDR 3，這也是蘋(píng)果最終采用的方案。蘋(píng)果依然選擇LPDDR3，可以理解為蘋(píng)果電池續(xù)航的妥協(xié)。

DDR3L全稱(chēng)“DDR3LowVoltage”，將工作電壓從標(biāo)準(zhǔn)版DDR3的1.5V進(jìn)一步降低到1.35V，并保持完全的功能兼容性。在相同性能和負(fù)載下，與標(biāo)準(zhǔn)版DDR3相比，功耗可降低15%以上，與1.8VDDR2相比，可節(jié)能40%，LowPowerDoubleDataRateSDRAM，也稱(chēng)為mDDR，是美國(guó)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)制定的低功耗存儲(chǔ)器通信標(biāo)準(zhǔn)。以功耗低、體積小著稱(chēng)，專(zhuān)門(mén)用于移動(dòng)電子產(chǎn)品，電壓1.2V上度。