bvCEO=25VICM=1500MAPCM=1WFT=100MHz，可替換為BC363或3CK10E,8050是NPN硅管，參數(shù):bvcbo=40v，bvceo=25v，I=1.5a，p=1w,8550是硅PNP中的功率晶體管,基極控制電流低8050三極管容易燒壞,8050和8550是常用管道。
8050和8550是常用管道。8050是NPN硅管，參數(shù):bvcbo = 40v，bvceo = 25v，I = 1.5a，p = 1w。此管參數(shù):可以用國產(chǎn)管3DA28B代替。8550是硅PNP中的功率晶體管。bv CEO = 25 VICM = 1500 MAPCM = 1 WFT = 100 MHz，可替換為BC363或3CK10E。
開關頻率:每秒鐘可以完全開啟和關閉的次數(shù)。每一個晶體管都有它的頻率特性，也就是說它能以每秒最高的次數(shù)開關，也就是它的開關速度，在選擇的時候不能超過它的最高頻率。
基極控制電流低8050三極管容易燒壞？這句話不對。三極管的基極電流很小，所以能讓電子管燒起來的一定是電子管上很大的耗散功率。并且這種大的耗散功率決不可能是由于小的基極電流。相反，基極電流過大是晶體管燒毀的原因之一。正常三級晶體管上的耗散功率為P=Ic*VceIc是三極管集電極的電流(基極電流很小，與發(fā)射極電流大致相同)Vce是三極管集電極和發(fā)射極的電壓。
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