ddr2和ddr3有什么區(qū)別？ddr3內(nèi)存和ddr2內(nèi)存有什么區(qū)別？ddr3的延遲其實比DDR2高，但是DDR2的頻率到了1066就是極限了，不過DDR31066的頻率是起點，好吧~ ~總的來說DDR3性能不錯。DDR3內(nèi)存條的區(qū)別這是內(nèi)存條的一代，每一種接口都會不一樣，動力也會大不一樣。

存儲卡DDR1、DDR2、DDR3和DDR4在功能、傳輸速率以及電壓和頻率方面是不同的。1.功能不同1。DDR 1: DDR 1可以在一個周期內(nèi)讀或?qū)憙纱巍?.DDR 2: DDR 2增加了BankGroup數(shù)據(jù)組的設(shè)計，每個BankGroup都具有讀寫等獨立啟動操作的動作特性。3.DDR 3: DDR 3增加了ASR(自動自刷新)和SRT (SRT(自刷新溫度)兩個功能，使內(nèi)存休眠時，內(nèi)存顆粒的充電頻率可以隨溫度變化而控制，保證系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

DDR400速度為400mhz。DDR2是第二代內(nèi)存，電壓1.8V，速度667或800。DDR3是目前最常見的內(nèi)存，電壓1.5V，速度快，容量大。單個內(nèi)存可以達到8GB，頻率從10662400mhz不等。DDR4是新一代內(nèi)存，不普及，速度很快。目前只能在IntelX99主板上使用，不能共用一臺機器。

似乎金手指也能看出他們的不同。SDR有兩個缺口，DDR1只有一個缺口，DDR2有一個缺口，但缺口更靠近中間，從密密麻麻的金手指就能聽出區(qū)別。你指的是模擬還是性能？如果是那樣，就是樓上那個。如果是那樣的話，SDR有兩個缺口，DDR1有一個缺口，DDR2有一個缺口，而且這個缺口更接近中間...而且金手指比較密集。

DDR2的CL范圍一般在2到5之間，而DDR3在5到11之間，附加延遲(al)的設(shè)計也發(fā)生了變化。在DDR2，AL的范圍是0到4，而在DDR3中，AL有三個選項，即0、CL1和CL2。此外，DDR3還增加了一個時序參數(shù)寫入延遲(CWD)，這將取決于具體的工作頻率。

這是內(nèi)存條的一代。每個接口都會不一樣，功率也會大不一樣。而且芯片也不一樣。DDR已經(jīng)有1、2、3代了，但本質(zhì)沒變。DDR內(nèi)存代替了SDR內(nèi)存，所以一出來性能就和SDR比。DDR，第一個D的意思是Double，也就是同一時期傳輸兩次數(shù)據(jù)(SDR只有一次)。所以DDR內(nèi)存的實際頻率X2就是“等效頻率”(即同等性能下SDR需要多少實際頻率)。

只是速度不一樣，接口不一樣，不能混用。這就是記憶的進步。DDR 1、DDR2、DR 3和DDR 2的區(qū)別在于，DDR 2的主要改進在于，在內(nèi)存模塊速度相同的情況下，可以提供兩倍于DDR內(nèi)存的帶寬。這主要是通過在每個器件上高效使用兩個DRAM內(nèi)核來實現(xiàn)的。相比之下，DDR內(nèi)存只能在每個設(shè)備上使用一個DRAM內(nèi)核。

區(qū)別很大。你可以隨意找一個D2記憶，然后看D3。網(wǎng)上有很多東西，你會發(fā)現(xiàn)很多不同的參數(shù)。一般來說，當一本筆記本出現(xiàn)時，它是DDR2的記憶。一般情況下，DDR3的內(nèi)存是插不進去的，但是不兼容。如果沒有意外，你的筆記本上只能有DDR2的記憶。如果你想看D2和D3的具體區(qū)別，我會給你復制一些資料。有興趣的可以看看！

DDR3很可能是2Gb容量起步，所以初期邏輯庫是8個，為以后16個邏輯庫做準備。2.封裝DDR 3有一些新的功能，所以管腳會增加。8位芯片采用78球FBGA封裝，16位芯片采用96球FBGA封裝，DDR2有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。

簡單來說，DDR2和DDR3的主要區(qū)別在于DDR3可以達到DDR2兩倍左右的外部傳輸速度。這是因為隨著計算機內(nèi)部總線傳輸速度的提高，DDR2的速度已經(jīng)不能滿足最新計算機系統(tǒng)對內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣鹊囊蟆Ｄ壳爸髁鞯腄DR2可以達到800MHZ的速度，而DDR3可以達到1600MHZ的速度。內(nèi)存和顯卡都使用相同的存儲技術(shù)，但內(nèi)存中DDR2更受歡迎，顯存中DDR3是主流，因為顯存的速度高于內(nèi)存。

ddr3的延遲其實比DDR2高，但是DDR2的頻率達到1066就是極限了，不過DDR31066的頻率是起點，好吧~ ~總的來說DDR3的性能還是不錯的。讀取速度差別很大，DDR2明顯跟不上DDR3，DDR3內(nèi)存最適合玩游戲。與DDR2相比，DDR3的工作電壓更低，在DDR2從1.8V降至1.5V，因此性能更好，更省電。DDR2的4位預讀升級到8位預讀。

其次，界面差異。不同頻率，不同帶寬。以下來自百度百科:DDR2DDR2的發(fā)明與發(fā)展:DDR2/DDR II(雙倍數(shù)據(jù)速率2) SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的新一代存儲器技術(shù)標準。它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標準最大的區(qū)別在于，雖然采用了時鐘上升/下降同時傳輸數(shù)據(jù)的基本方式，但DDR 2內(nèi)存的預讀能力是上一代DDR內(nèi)存的兩倍(即4-4bit數(shù)據(jù)讀取)。

DDR3和DDR2 1的區(qū)別。邏輯庫數(shù)量2、封裝)3、BurstLength)4、尋址定時)5、新功能復位)6、新功能ZQ校準7、參考電壓一分為二8、根據(jù)溫度自動自刷新(SRT，SelfreshTemperature) 9。本地自刷新(RASR) 10。點對點連接(P2P)簡單來說就是框架更新速度更快，超頻性能更強，功耗更低，但是溫度更低。但有一個缺點，低頻的DDR3相比高頻的DDR2并沒有明顯的提升，反而有所降低。所以建議買DDR3，1333外頻起步。

Onda B365CD3主板，369塊，支持雙D3內(nèi)存插槽，最高可支持Intel i79700KF八核八線程CPU，是目前DDR3內(nèi)存條主板支持的最強CPU，還可支持i59400F六核六線程。在DDR3中實現(xiàn)高帶寬的同時，可以降低其功耗，核心工作電壓從1.8V降低到1.5V，相關(guān)數(shù)據(jù)預測DDR3將比目前的DDR2節(jié)省30%的功耗，當然我們也不需要擔心發(fā)熱量的問題。

擴展數(shù)據(jù):尋址定時:正如DDR2由DDR改造后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也會高于DDR2。DDR2的CL范圍一般在2到5之間，而DDR3在5到11之間，附加延遲(al)的設(shè)計也發(fā)生了變化。在DDR2，AL的范圍是0到4，而在DDR3中，AL有三個選項，即0、CL1和CL2。

復制文件打開。我說實際DDR對應(yīng)的是第一代電腦(太早忽略了)，一般都是老的賽揚和奔騰，200，333，400的內(nèi)存頻率都是古董，完全沒必要升級，DDR2相對是二代，主要是66.78萬。其他的比較少見，一般對應(yīng)T2300，以及其他早期的雙核電腦，這些電腦的內(nèi)存增加到3Gb，裝Xp上網(wǎng)都沒問題。如果不能玩DDR3，有1067.1333.1600，現(xiàn)在主流電腦。