目前市場上對這兩個參數(shù)的理解存在一些錯誤,因為有些內(nèi)存廠商直接用它們來表示內(nèi)存性能,目前市場上對這兩個參數(shù)的理解存在一些錯誤,因為有些內(nèi)存廠商直接用它們來表示內(nèi)存性能,內(nèi)存的部分品牌會在內(nèi)存上打印CL值,如果是從電腦上分離出來的單個內(nèi)存件,只能看內(nèi)存件的標(biāo)簽上是否印有時序件,或者根據(jù)完整的型號檢查時序件。
如果是從電腦上分離出來的單個內(nèi)存件,只能看內(nèi)存件的標(biāo)簽上是否印有時序件,或者根據(jù)完整的型號檢查時序件。
內(nèi)存頻率和內(nèi)容容量影響電腦的性能。主流的內(nèi)存頻率有1066MHz,1333MHz,1600MHz,但是很多人即使知道也不知道怎么查內(nèi)存頻率。為此,我在這里支持你。
內(nèi)存的時序參數(shù)一般縮寫為2/2/2/6-11/1T格式。CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中的最后兩個時序參數(shù),即tRAS和CMD,是更復(fù)雜的時序參數(shù)。目前市場上對這兩個參數(shù)的理解存在一些錯誤,因為有些內(nèi)存廠商直接用它們來表示內(nèi)存性能。用更通俗的話來說,CMDRate就是芯片組意義上的一種延遲。它不完全由內(nèi)存決定,但芯片組將虛擬地址解釋為物理地址。不難估計,高密度大容量系統(tǒng)內(nèi)存的物理地址范圍更大,其CMD延遲肯定大于只有一個內(nèi)存的系統(tǒng),即使是雙面的。
4、誰解釋一下 內(nèi)存 時序是什么?內(nèi)存的時序參數(shù)一般縮寫為2/2/2/6-11/1T格式。CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中的最后兩個時序參數(shù),即tRAS和CMD,是更復(fù)雜的時序參數(shù)。目前市場上對這兩個參數(shù)的理解存在一些錯誤,因為有些內(nèi)存廠商直接用它們來表示內(nèi)存性能。用更通俗的話來說,CMDRate就是芯片組意義上的一種延遲。它不完全由內(nèi)存決定,但芯片組將虛擬地址解釋為物理地址。不難估計,高密度大容量系統(tǒng)內(nèi)存的物理地址范圍更大,其CMD延遲肯定大于只有一個內(nèi)存的系統(tǒng),即使是雙面的。
5、 內(nèi)存 時序是什么意思,詳細(xì)解釋一下?謝謝!a參數(shù),一般存儲在內(nèi)存的SPD上。2-2-2-84數(shù)字的含義是:CASLatency(簡稱CL值)內(nèi)存CAS延遲時間,是內(nèi)存的重要參數(shù)之一。內(nèi)存的部分品牌會在內(nèi)存上打印CL值。Ras到CAS延遲(TRCD),內(nèi)存行地址到列地址的延遲時間。行-行-預(yù)充電延遲(tRP),內(nèi)存行地址選通的cas延遲。行有效延遲(tras),內(nèi)存行地址選通延遲。以上是玩家最關(guān)心的四個時序調(diào)整,大部分主板的BIOS中都可以設(shè)置。內(nèi)存模塊制造商還計劃推出低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲超頻內(nèi)存模塊。在相同頻率設(shè)置下,最低“2-2-2-5”序列的內(nèi)存模塊時序確實可以帶來比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能,幅度在3到5個百分點。
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