其他電子對被選擇電子的屏蔽作用的效果稱為屏蔽效應；由于電子的角量子數L不同，其概率的徑向分布也不同，電子鉆近原子核概率較高的被原子核吸引，所以能量不同的現象稱為電子鉆效應,所謂屏蔽吸收是指金屬屏蔽體與防雷系統之間的等電位連接，使屏蔽體與漏電地的引下線和接地體等電位，相當于漏電地。
防雷屏蔽技術雷電感應和雷電波侵入引起的雷電電磁脈沖主要以場和電路耦合兩種形式影響設備。屏蔽技術是減少干擾的基本措施(場形式)。因為施加在設備上的電磁干擾和過電壓能量可以通過金屬屏蔽體吸收或反射的方法衰減。所謂屏蔽吸收是指金屬屏蔽體與防雷系統之間的等電位連接，使屏蔽體與漏電地的引下線和接地體等電位，相當于漏電地。所謂屏蔽反射是指雷電電磁波在線路傳輸中經常發生突變的情況。比如雷電電磁波從高波阻抗的架空線進入低波阻抗的電纜，在線路的中間或末端連接電阻、電感、電容或非線性元件(這些就是俗稱的集總參數)。雷電電磁波會在參數突變的邊界處發生折射和反射，理論上可以證明。
定義如下:1。對于屏蔽右邊的電子，這個電子的常數o = 0；2.1s軌道上兩個電子的互屏蔽常數o = 0.3，同一軌道上其他電子的o = 0.353.如果電子是ns或np電子，對于n-1軌道的電子，O = 0.85，對于其他內層的每個電子，O = 1；4.如果電子是nd或nf，它左邊的電子有o=1。
原子核外電子的平均距離離原子核越遠，原子受其他電子的屏蔽影響越小。其他電子對被選擇電子的屏蔽作用的效果稱為屏蔽效應；由于電子的角量子數L不同，其概率的徑向分布也不同，電子鉆近原子核概率較高的被原子核吸引，所以能量不同的現象稱為電子鉆效應。(1)當N不同時，L相同時，N越大，電子離原子核的平均距離越遠，因此原子中的其他電子對其屏蔽的影響越大，即σ值越大，能量越高。所以e1s < e2s < e3s < e4s。(2)當n相同，L不同時，L越小，電子穿透越大效應，電子鉆越深，核引力越強，其他電子對它的作用越小屏蔽，其能量越低。所以e3s < e3p < e3d。(3)在多電子原子中，電子在4s軌道的穿透力大于3s軌道效應，可以更好地避開其他電子的屏蔽。4s軌道的主量子數雖然比3d多1，但比角量子數少2，其貫穿效應增加比主量子數對降低軌道能量的作用更大。所以E4s {3。
