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分子電流假說,解釋一下安培分子電流假說 知道的請(qǐng)進(jìn)

來源:整理 時(shí)間:2023-08-29 08:41:51 編輯:好學(xué)習(xí) 手機(jī)版

1,解釋一下安培分子電流假說 知道的請(qǐng)進(jìn)

那只是一種假說后來知道了原子核核外電子繞核運(yùn)動(dòng)了這種假說也就沒什么意義了教科書上寫這個(gè)是要教你這種思維

解釋一下安培分子電流假說 知道的請(qǐng)進(jìn)

2,安培分子電流假說

安培的分子電流假說是在人們還沒有真正認(rèn)識(shí)磁現(xiàn)象的電本質(zhì)的情況下提出的,當(dāng)時(shí)有兩種觀點(diǎn):分子電流觀點(diǎn)和磁荷觀點(diǎn)。因?yàn)楫?dāng)時(shí)還不能肯定哪個(gè)觀點(diǎn)是正確的,因此稱其為假說,隨著人們認(rèn)識(shí)的深入,這個(gè)假說已經(jīng)成為被人們接受的理論思想,故現(xiàn)在看來就不是假說,而是已經(jīng)被大量事實(shí)證明的正確的理論,說明一切磁現(xiàn)象都可以歸結(jié)為運(yùn)動(dòng)電荷(電流)間的相互作用,這就是磁現(xiàn)象的電本質(zhì)。磁場強(qiáng)度H=BM/μ0,其中M為磁化強(qiáng)度矢量,μ0=4π*10^-7N/A^2為常量

安培分子電流假說

3,安培分子電流假說

不是假說是里面有無數(shù)個(gè)環(huán)行電子流所有電子流形成的磁場疊加以后才是磁體表現(xiàn)出來的磁場當(dāng)然這個(gè)假說是錯(cuò)誤的
安培的分子電流假說是在人們還沒有真正認(rèn)識(shí)磁現(xiàn)象的電本質(zhì)的情況下提出的,當(dāng)時(shí)有兩種觀點(diǎn):分子電流觀點(diǎn)和磁荷觀點(diǎn)。因?yàn)楫?dāng)時(shí)還不能肯定哪個(gè)觀點(diǎn)是正確的,因此稱其為假說,隨著人們認(rèn)識(shí)的深入,這個(gè)假說已經(jīng)成為被人們接受的理論思想,故現(xiàn)在看來就不是假說,而是已經(jīng)被大量事實(shí)證明的正確的理論,說明一切磁現(xiàn)象都可以歸結(jié)為運(yùn)動(dòng)電荷(電流)間的相互作用,這就是磁現(xiàn)象的電本質(zhì)。磁場強(qiáng)度h=bm/μ0,其中m為磁化強(qiáng)度矢量,μ0=4π*10^-7n/a^2為常量

安培分子電流假說

4,分子電流假說

安培認(rèn)為構(gòu)成磁體的分子內(nèi)部存在一種環(huán)形電流——分子電流。由于分子電流的存在,每個(gè)磁分子成為小磁體,兩側(cè)相當(dāng)于兩個(gè)磁極。通常情況下磁體分子的分子電流取向是雜亂無章的,它們產(chǎn)生的磁場互相抵消,對(duì)外不顯磁性。當(dāng)外界磁場作用后,分子電流的取向大致相同,兩端顯示較強(qiáng)的磁體作用,形成磁極,就被磁化了。當(dāng)磁體受到高溫或猛烈撞擊時(shí)會(huì)失去磁性,是因?yàn)榧ち业臒徇\(yùn)動(dòng)或震動(dòng)使分子電流的取向又變的的雜亂無章了。
安培的分子電流假說是在人們還沒有真正認(rèn)識(shí)磁現(xiàn)象的電本質(zhì)的情況下提出的,當(dāng)時(shí)有兩種觀點(diǎn):分子電流觀點(diǎn)和磁荷觀點(diǎn)。因?yàn)楫?dāng)時(shí)還不能肯定哪個(gè)觀點(diǎn)是正確的,因此稱其為假說,隨著人們認(rèn)識(shí)的深入,這個(gè)假說已經(jīng)成為被人們接受的理論思想,故現(xiàn)在看來就不是假說,而是已經(jīng)被大量事實(shí)證明的正確的理論,說明一切磁現(xiàn)象都可以歸結(jié)為運(yùn)動(dòng)電荷(電流)間的相互作用,這就是磁現(xiàn)象的電本質(zhì)。 磁場強(qiáng)度h=bm/μ0,其中m為磁化強(qiáng)度矢量,μ0=4π*10^-7n/a^2為常量

5,什么是安培分子電流假說

安培分子電流假說.安培認(rèn)為在原子、分子等物質(zhì)微粒的內(nèi)部,存在著一種環(huán)形電流——分子電流,使每個(gè)微粒成為微小的磁體.但實(shí)際上分子中的電子不是圍繞原子核轉(zhuǎn)動(dòng)的而是電子在空間出現(xiàn)的概率形成的電子云。這個(gè)假說只是便于初學(xué)者容易理解磁與電的關(guān)系。 磁場強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度均為表征磁場性質(zhì)(即磁場強(qiáng)弱和方向)的兩個(gè)物理量。由于磁場是電流或者說運(yùn)動(dòng)電荷引起的,而磁介質(zhì)(除超導(dǎo)體以外不存在磁絕緣的概念,故一切物質(zhì)均為磁介質(zhì))在磁場中發(fā)生的磁化對(duì)源磁場也有影響(場的迭加原理)。因此,磁場的強(qiáng)弱可以有兩種表示方法: 在充滿均勻磁介質(zhì)的情況下,若包括介質(zhì)因磁化而產(chǎn)生的磁場在內(nèi)時(shí),用磁感應(yīng)強(qiáng)度B表示,其單位為特斯拉T,是一個(gè)基本物理量;單獨(dú)由電流或者運(yùn)動(dòng)電荷所引起的磁場(不包括介質(zhì)磁化而產(chǎn)生的磁場時(shí))則用磁場強(qiáng)度H表示,其單位為A/m2,是一個(gè)輔助物理量。 具體的,B決定了運(yùn)動(dòng)電荷所受到的洛侖茲力,因而,B的概念叫H更形象一些。在工程中,B也被稱作磁通密度(單位Wb/m2)。在各向同性的磁介質(zhì)中,B與H的比值即介質(zhì)的絕對(duì)磁導(dǎo)率μ
不知道阿 -,-

6,能講解一下分子電流假說

為了解釋永磁和磁化現(xiàn)象,安培提出了分子電流假說。安培認(rèn)為,任何物質(zhì)的分子中都存在著環(huán)形電流,稱為分子電流,而分子電流相當(dāng)一個(gè)基元磁體。當(dāng)物質(zhì)在宏觀上不存在磁性時(shí),這些分子電流做的取向是無規(guī)則的,它們對(duì)外界所產(chǎn)生的磁效應(yīng)互相抵消,故使整個(gè)物體不顯磁性。在外磁場作用下,等效于基元磁體的各個(gè)分子電流將傾向于沿外磁場方向取向,而使物體顯示磁性。 磁現(xiàn)象和電現(xiàn)象有本質(zhì)的聯(lián)系。物質(zhì)的磁性和電子的運(yùn)動(dòng)結(jié)構(gòu)有著密切的關(guān)系。烏倫貝克與哥德斯密特最先提出的電子自旋概念,是把電子看成一個(gè)帶電的小球,他們認(rèn)為,與地球繞太陽的運(yùn)動(dòng)相似,電子一方面繞原子核運(yùn)轉(zhuǎn),相應(yīng)有軌道角動(dòng)量和軌道磁矩,另一方面又繞本身軸線自轉(zhuǎn),具有自旋角動(dòng)量和相應(yīng)的自旋磁矩。施特恩-蓋拉赫從銀原子射線實(shí)驗(yàn)中所測(cè)得的磁矩正是這自旋磁矩。(現(xiàn)在人們認(rèn)為把電子自旋看成是小球繞本身軸線的轉(zhuǎn)動(dòng)是不正確的。) 電子繞原子核作圓軌道運(yùn)轉(zhuǎn)和繞本身的自旋運(yùn)動(dòng)都會(huì)產(chǎn)生電磁以太的渦旋而形成磁性,人們常用磁矩來描述磁性。因此電子具有磁矩,電子磁矩由電子的軌道磁矩和自旋磁矩組成。在晶體中,電子的軌道磁矩受晶格的作用,其方向是變化的,不能形成一個(gè)聯(lián)合磁矩,對(duì)外沒有磁性作用。因此,物質(zhì)的磁性不是由電子的軌道磁矩引起,而是主要由自旋磁矩引起。每個(gè)電子自旋磁矩的近似值等于一個(gè)波爾磁子 。 是原子磁矩的單位, 。因?yàn)樵雍吮入娮又?000倍左右,其運(yùn)動(dòng)速度僅為電子速度的幾千分之一,故原子核的磁矩僅為電子的千分之幾,可以忽略不計(jì)。 孤立原子的磁矩決定于原子的結(jié)構(gòu)。原子中如果有未被填滿的電子殼層,其電子的自旋磁矩未被抵消,原子就具有“永久磁矩”。例如,鐵原子的原子序數(shù)為26,共有26個(gè)電子,在5個(gè)軌道中除了有一條軌道必須填入2個(gè)電子(自旋反平行)外,其余4個(gè)軌道均只有一個(gè)電子,且這些電子的自旋方向平行,由此總的電子自旋磁矩為4 。
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