硅片粘合和解離深圳，朋友們誰有能化解黏硅片膠的試劑

來源：整理時間：2023-04-26 05:22:15 編輯：深圳生活手機版

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1，朋友們誰有能化解黏硅片膠的試劑
2，一般硅片的摻雜濃度和深度怎么測量
3，正面長有氮化硅Si3N4的硅片怎樣去除硅片背面的薄淡化硅層
4，多晶硅片在分選過程中出現粘膠面中間硅粉脫落清洗過程中看不出
5，P型硅片上擴磷結深的問題請教

1，朋友們誰有能化解黏硅片膠的試劑

那是環氧膠水，不耐酸堿和高溫，可以讓它失效，你要融化它，只能買很強力的酸，而且融化起來極其緩慢的，很費錢的

你說呢...

朋友們誰有能化解黏硅片膠的試劑

2，一般硅片的摻雜濃度和深度怎么測量

xps可以的吧，測一遍用離子刻蝕一層再測，不過刻蝕的厚度是相對于Ta2O5的刻蝕速率做參照的，所以厚度和十幾樣品的厚度可能會有一點誤差，可以做透射電鏡樣品進行觀察，結果更為直觀。

一般硅片的摻雜濃度和深度怎么測量

3，正面長有氮化硅Si3N4的硅片怎樣去除硅片背面的薄淡化硅層

為什么要用氮化硅呢？直接用硅片不就可以了么硅片的襯底是可以直接做柵極的

正面長有氮化硅Si3N4的硅片怎樣去除硅片背面的薄淡化硅層

4，多晶硅片在分選過程中出現粘膠面中間硅粉脫落清洗過程中看不出

當你的硅棒被線切割后，其底部有殘余鑄錠，這是將棒料放置到水槽中，用普通自來水少高壓，沖洗，沖洗時沿著片子的外邊緣，來回走兩遍，然后放在一邊，再用再一次沖洗，這樣就沒問題了，和你的鑄錠沒有關系，是清洗的方法不對，我是一個研發人員，如貴公司需要清洗后的設備，比如硅片的分片，等自動化設備，可以提供技術支持

5，P型硅片上擴磷結深的問題請教

在P型上擴散N型，就是使P型反型成N型，使用液態三氯氧磷高溫擴散（你的工藝允許高溫擴散嗎？），然后再進行短時間的高溫推結，但是這里有個結深的控制問題，實際操作可能比較難，要控制的比較準確的話，，尤其是結深只有5Um（如果結深的精確度要求不高，實際操作還是很容易的）。然后你再涂布抗堿性光阻，腐蝕掉不需要的n型硅，這里的腐蝕控制也是一大問題，主要是精度的控制（可以試制合理的腐蝕溶液），如果你用濕法腐蝕估計很難，如果用干法刻蝕估計還行。主要還是看你的工藝設備。如果你有注入機和干法刻蝕機，實際操作起來還是可行的。

掩膜遮蔽下返蝕確實是個問題，濕法腐蝕可能較難做到一致性。12樓中圖片中的流程是外國人提出來的ideas，產業化與否，還不得而知...擴P如果要個把小時，那比現在制造太陽能電池的擴P時間長多了，劃不來的...

你是直接擴散，還在在上面長膜來擴散呢？要是直接擴散的話很簡單的，用三氯氧磷直接擴就是了，要是長膜的話就要考慮壓力對他的U%的均勻性了！

高溫下根據擴散原理估計幾分鐘搞定，擴散源任意。最好選一些濃度較高的，比較均勻。

固態源擴散很容易實現,我們做過P型硅片生產雙向觸發管,相對時間較長的那種,

在P型硅片上擴磷（三氯氧磷），深度為5um，然后在其表面上做耐堿掩膜；然后放到稀釋的NaOH溶液中腐蝕（制絨），期望腐蝕掉沒有覆蓋掩膜的n型層，腐蝕深度小于5個微米（以保留住pn結）；估計可控性和重復性較差吧？