深圳大學大學物理期中考試帶答案，我準備考金融學想問下上海大學好還是深圳大學好求了解的好心人

來源：整理時間：2022-11-24 00:43:36 編輯：深圳生活手機版

1，我準備考金融學想問下上海大學好還是深圳大學好求了解的好心人

看你發展的意向了。如果按金融系教育條件當然上海大學。但論長遠發展深圳毗鄰港澳具有更好的國際化平臺。你可以考慮到上海學習深圳就業。

你好！當然上海好了，陸家嘴好過深圳的前海。。。僅代表個人觀點，不喜勿噴，謝謝。

我準備考金融學想問下上海大學好還是深圳大學好求了解的好心人

2，大學物理實驗期末考試總分過60了但少做一次實驗會掛嗎

按照規定大學物理實驗最終分數是把所有的實驗分數加和(包括期末考試），之后除以總實驗次數（包括考試），如果超過60分就能通過，如果其他的實驗做得還好就應該最終平均超過60的，最后的考試跟其他實驗一樣只占實驗總次數分只一，不起決定作用。一般實驗的不會掛的，只要不超過3個實驗沒做，基本都過的。祝你好運啊！

大學物理實驗期末考試總分過60了但少做一次實驗會掛嗎

3，我兒子選物理成績很不好期中考試330分外語比較好他能考進大學嗎

可以讀二類,不過我建義不要進二類,要進就要想法進一類,二類以下的大學太差了,皮的學生會被環境帶得更壞,我是華科的,這里的學習氛圍就讓人不知不覺會進入狀態,就是不想學的也會有所帶動.所以,我建義你選擇學習氛圍好的學校,可以選擇一些學校去自習室看看,比較一下.外語好是優勢,千萬不要丟了.另外,選專業也很重要,不要為了文憑而隨意選擇,要綜合您兒子的興趣(首要的),專業的社會需求度與飽合度,以及,招生學校所招生員數與選擇這所學校的學生人數之比(比值越大越好),進行綜合考慮.

我兒子選物理成績很不好期中考試330分外語比較好他能考進大學嗎

4，急請問考吉林大學和深圳大學研究生哪個比較好會計或金融專業

吉林大學的優勢：名校（因沒在吉大讀過，其他的優勢我不知道了）深圳大學的優勢：在學期間實踐機會多；免學費，另外每年有10個月*500的補助；校園環境優美。吉大研究生畢業后好不好就業不好說，你可以在網上搜索一下吉大研究生群，問問前輩的意見。會計的選擇面小一點，包括四大會計師事務所和公司等；金融的選擇面大一點，包括銀行、證券和公司等。相對的金融也要比會計難考一點。至于選擇哪所學校哪個專業你自己權衡吧。

你本人愛好金融，那就考金融研究生，不要放棄自己的愛好。但會計不需要什么研究生，他要求的是職稱不是學歷，建議你考注冊會計師或注冊稅務師。這些都是香餑餑！！！！！給你加油！

5，如果自學考試能考深圳大學嗎可以進入深圳大學里面嗎就像統招生

不可以，一般都是和統招生分開的，有的甚至不在一個校區，如果在一個校區有些資源是可以共享的，教科書大都不一致，除了一些政治公共課。國家有規定，象自考招生之類的不能影響統招生在校對公共資源的分享率。具體的請咨詢學校招生辦。

<p><a target="_blank">http://www.zikao365.com/web/gdzk/guangdong/index.shtml</a></p>，希望這個網址對你有幫助。有什么疑問，歡迎追問。

6，為什么考深圳大學越來越難

深圳的深大，今后發展的對應參照物是北京的北大，都是本地建校歷史最久、實力最強的綜合性大學。今年廣東省的一本線，文科:514分，理科 : 508分。而深大的預投檔線，文科：546分，理科： 562分要考上深大，得高出一本線約40分左右。深大，作為深圳唯一的一所綜合性大學，作為中國十大最美麗的大學校園，今后會越來越牛了。高出一本線約40分，估計深中、深外、深實這三大高中能考上深大的比例不會超過50%。因為深圳這個城市牛，所以深圳的“深圳大學”一定會牛，優秀的城市，一定能造就出優秀的大學。

可以私聊我~

因為深圳大學的聲譽和實力慢慢都上來了，且深圳市的吸引力也越來越大，這里就業機會多，發展潛力大，考生自然愿意到這里來讀大學，即使本地考生，不少都愿意留在本地讀大學，這樣一來，深圳地區目前最好的大學深圳大學自然分數就起來了。

7，求大學物理試題及答案分享

系 (院)專業級、班級號姓名衡陽師范院2007期《物理》（二）期末考試試題B卷（答卷）題號二三四五合簽名復查評卷、單項選擇題：（每題3共30）1. 處于真空電流元 P點位矢則 P點產磁應強度 ( B ) (A) ； (B) ； (C) ； (D) .2. 磁應強度均勻磁場取邊立形閉合面則通該閉合面磁通量：（ D ）(A) ； (B) ； (C) ； (D) 03. 圖兩導線電流I1=4 AI2=1 A根據安培環路定律圖所示閉合曲線C = ( A )(A) 3μ0；（B）0； (C) －3μ0；（D）5μ04．半徑a直圓柱體載流I 電流I均勻布橫截面則圓柱體外（r>a）點P磁應強度 ( A )(A) ； (B) ； (C) ； (D) 5．某刻波形圖圖所示列說確 ( B )(A) A點勢能能；(B) B點勢能能(C) A、C兩點勢能能；(D) B點能勢能6. 水平彈簧振拉離平衡位置5cm由靜止釋放作簡諧振并始計若選拉向軸向并表示振程則簡諧振初相位振幅（ B ）(A) ；　　　 (B) ；(C) ； (D) 7. 物體作簡諧振, 振程x=Acos(ωt+π/4)t=T/4(T周期)刻,物體加速度 ( D )(A) ; (B) ; (C) ; (D) 8. 簡諧振位移—間曲線關系圖所示該簡諧振振程(A) x=4cos2πt（m）； ( C )(B) x=4cos(πt－π)（m）； (C) x=4cosπt（m）； (D) x=4cos(2πt+π)（m）9．余弦波沿x軸負向傳播已知x=－1 m處振程y=Acos(ωt+ )若波速u則波程 ( C )(A) ; (B) ;(C) ; (D) 10．圖所示兩平面玻璃板OAOB構空氣劈尖平面單色光垂直入射劈尖A板與B板夾角θ增干涉圖 ( C )(A) 干涉條紋間距增并向O向移；(B) 干涉條紋間距減并向B向移；(C) 干涉條紋間距減并向O向移；(D) 干涉條紋間距增并向O向移.評卷二、填空題：（每題3共18）1. 電流I直導線周圍磁應強度 2. 相干波相干條件振向相同、頻率相同、相位差恒定 3. 諧振平衡位置運遠點所需間 T/4 (用周期表示)走該距離半所需間 T/12 (用周期表示)4. 微觀說, 產電勢非靜電力洛侖茲力 5．兩諧振程x1=0.03cosωtx2=0.04cos(ωt+π／2)(SI)則合振幅 0.05 m 6. 描述簡諧運三特征量振幅、角頻率、初相評卷三、簡答題：（每題6共12）1. 彈簧振振幅增兩倍試析列物理量受影響：振周期、速度、加速度振能量參考解答：彈簧振周期T=2π 【1】僅與系統內性質關與外界素關【1】所與振幅關【1】vmax=ωAA增兩倍vmax增原兩倍【1】amax=ω2AA增兩倍amax增原兩倍【1】E= kA2A增兩倍E增原四倍【1】2．同光源發光兩部相干光哪幾種幾種別特點并舉例參考解答：同光源發光兩部相干光兩種：波陣面振幅【2】波陣面指原光源發同波陣面兩部作兩光源取相干光楊氏雙縫干涉實驗等【2】；振幅指普通光源同點發光利用反射、折射等二獲相干光薄膜干涉等【2】評卷四、計算題：（第1題7其每題8共31）1. 輕彈簧相連球沿x軸作振幅A簡諧運該振表達式用余弦函數表示若t=0球運狀態別：(1) x0=－A；(2) 平衡位置向x向運；(3) x=A／2處且向x負向運試確定相應初相解：(1) =π【1】；(2) =－π／2【1】；(3) =π／3【1】相量圖：【圖（1）1；圖（2）1；圖（3）2】2．水平彈簧振振幅A=2.0×10-2m周期T=0.50st=0(1) 物體x=1.0×10-2m處向負向運； (2) 物體x=－1.0×10-2m處向向運別寫兩種情況振表達式解：相量圖由題知 =4π【2】（1）φ1= 其振表達式 x1=2.0×10-2cos(4πt+ ) (m) 【3】（2）φ2= 或－其振表達式 x1=2.0×10-2cos(4πt+ ) (m) 【3】解二：解析（1）T=0x0=1.0×10-2m=A/2, v0<0. 【1】由x0=Acosφ= 知 cosφ= 則φ=± 由 v0=－ωAsinφ0所φ= 【1】其振表達式 x1=2.0×10-2cos(4πt+ ) (m) 【2】（2）T=0x0=－1.0×10-2m=A/2, v0>0. 【1】由x0=Acosφ=－知 cosφ=－則φ=± （或）由 v0=－ωAsinφ>0 sinφ<0所φ= 或－【1】其振表達式 x1=2.0×10-2cos(4πt+ ) (m)= 2.0×10-2cos(4πt－ ) (m) 【2】3. 圖所示線圈均勻密繞截面形整木環(木環內外半徑別R1R2厚度h木料磁場布影響)共N匝求通入電流I環內外磁場布通管截面磁通量少?解：適選取安培環路根據安培環路定理兩種情況討論環外環內磁場作垂直于木環軸線圓軸線圓安培環路L圓周環外 =0則由安培環路定理環外 B=0圓周環內且半徑r(R1<r<R2)根據電流布稱性知與木環共軸圓周各點B相等向沿圓周切線向則由安培環路定理【2】 B?2πr=μ0NI由環內 B=μ0NI／(2πr) 【2】求環管截面通磁通量先考慮環管內截面寬dr高h窄條面積通磁通量 dφ=Bhdr＝ dr【2】通管全部截面磁通量 Φ= 【2】4. 折射率n1=1.52鏡表面涂層n2=1.38MgF2增透膜膜適用于波λ=550nm光膜厚度應少?解：增透膜使反射光干涉相消增透射光光強n空<n2<n1光MgF2、表面反射均半波損失【2】所反射光干涉相消條件2n2h=(2k+1) , k=0,1,2,… 則 h=(2k+1) 【3】k=0【1】增透膜厚度hmin= = =9.96×10-8(m)= 99.6nm【2】解二：于增透膜使反射光干涉相消使透射光干涉相故由透射光干涉加強求增透膜厚度光MgF2、表面經二反射（半波損失）【2】透射鏡與直接透MgF2透射光相遇兩透射光光程差2n2h+λ/2由干涉相條件2n2h+ =kλ,k=1,2,3,… 則h=(k－ ) 【3】k=1【1】增透膜厚度hmin= = =9.96×10-8(m)=99.6nm【2】評卷五、證明題：（共9）圖所示直導線通電流I另矩形線圈共N 匝寬aL速度v向右平試證明：矩形線圈左邊距直導線距離d線圈應電勢解：由電勢公式求解：　通電流I直導線磁場布B=μ0I/2πx向垂直線圈平面向于線圈、兩邊向與向垂直故線圈向右平移線圈兩邊產應電勢（、兩導線沒切割磁場線）左右兩邊產電勢左、右兩邊電勢? 向相同都平行紙面向視并聯所線圈總電勢?＝?1－?2＝N[ － ]【3】=N[ ]=N[ － ]= = 【3】? ＞0 則? 向與?1向相同即順針向【3】二：線圈左邊距直導線距離d線圈左邊磁應強度B1=μ0I/2πd向垂直紙面向線圈速度v運左邊導線電勢?1＝N =N =NvB1 =Nv L.向順針向【3】線圈右邊磁應強度B2=μ0I/2π(d+a)向垂直紙面向線圈運右邊導線電勢?2 =N =N =NvB2 =Nv L.向逆針【3】所線圈應電勢?＝?1－?2= Nv L－Nv L= ? ＞0即? 向與?1向相同順針向【3】三：由? = 積路徑L取順針向? =N[ ]=N[ ]=N( )=Nv L－Nv L= 【6】? ＞0即? 向與閉合路徑L向相同順針向【3】解二：　由拉弟電磁應定律求解直導線磁場非均勻磁場B=μ0I/2πr線圈平面內磁場向垂直線圈平面向故距直導線r處取L寬dr面元dS=Ldr取路繞行向順針向則通該面元磁通量dΦ= =BdScos0°= 通總線圈平面磁通量（設線圈左邊距直導線距離x）Φ= 【3】線圈內應電勢由拉弟電磁應定律? =－線圈左邊距直導線距離x=d線圈內應電勢? = 【3】? ＞0所? 向與繞行向致即順針向【3】應電勢向由楞定律判斷：線圈向右平由于磁場逐漸減弱通線圈磁通量減少所應電流所產磁場要阻礙原磁通減少即應電流磁場要與原磁場向相同所電勢向順針向.

請參考“科學試題及答案”。再看看別人怎么說的。